Verfahren zum Laserlöten und zur Temperaturüberwachung von Halbleiterchips sowie nach diesem Verfahren hergestellte Chipkarte

摘要

Der Laserstrahl (32) wird auf die den Lötstellen abgewandte Rückseite eines gehäusefreien Halbleiterchips (10) gerichtet und nach einer festgelegten Zeit nach dem Erreichen des Schmelzpunktes des auf den Lötstellen aufgebrachten Lotes die Laserbestrahlung unterbrochen. Das Erreichen des Schmelzpunktes wird hierbei durch Detektion der vom Halbleiterchip (10) ausgehenden Wärmestrahlung detektiert. Diese Verfahren sind insbesondere zur Herstellung von Chipkarten geeignet.