发明名称 METHOD AND APPARATUS FOR GENERATING AND CONFINING A REACTIVE GAS FOR ETCHING SUBSTRATES
摘要 <p>L'invention concerne un procédé servant à exécuter des réactions localisées de gravure sur un substrat par confinement d'un gaz réactif au moyen d'un rideau de gaz non réactif. Ce procédé consiste à générer un gaz réactif capable de graver le substrat ; à appliquer ce gaz réactif au substrat ; à laisser s'écouler un gaz non réactif vers le substrat sous forme d'un rideau de gaz non réactif autour du gaz réactif, de manière à confiner pratiquement le gaz réactif à une zone prédéterminée de gravure sur le substrat. Elle concerne également un dispositif servant à mettre en application ce procédé.</p>
申请公布号 WO2000042632(A1) 申请公布日期 2000.07.20
申请号 US2000000744 申请日期 2000.01.12
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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