发明名称 READ/WRITE ARCHITECTURE FOR A MRAM
摘要 <p>Die Erfindung betrifft eine Schreib-/Lesearchitektur für einen MRAM, die beim Lesevorgang Widerstandsbrücken verwendet, in denen eine Speicherzelle mit bekanntem Magnetisierungszustand mit einer zu messenden Speicherzelle verglichen wird.</p>
申请公布号 WO2000042614(A1) 申请公布日期 2000.07.20
申请号 DE2000000026 申请日期 2000.01.03
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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