| 摘要 |
<p>Ein ESD-Schutztransistor weist einen in einer schwach dotierten p-Wanne (32) angeordneten stark dotierten p-Basisbereich (34), der mit einem ersten Anschluss (46) versehen ist, auf. In der schwach dotierten p-Wanne ist ferner ein stark dotierter n-Emitterbereich (36) angeordnet. Ein stark dotierter n-Kollektorbereich (44) ist durch einen schwach dotierten n-Bereich (38) von der schwach dotierten p-Wanne (32) getrennt und mit einem zweiten Anschluss (48) versehen. Der stark dotierte n-Emitterbereich (36) ist nicht mit dem stark dotierten Basisbereich (34) kurzgeschlossen.</p> |
