| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein asymmetrisch sperrendes Leistungshalbleiterbauelement, bei dem im Randbereich unterhalb der aus dem Halbleiterkörper (1) herausgeätzten Bereiche (Ätzschultern) Feldstopzonen (11) vom selben Leitungstyp wie in der Innenzone (2) vorgesehen sind. Diese Feldstopzonen (11), die typischerweise an die Innenzone sowie an die Emitterzone angeschlossen sind, grenzen an die poliergeätzte, damagefreie Oberfläche der herausgeätzten Ätzschultern (12) an. Die Dotierungskonzentration dieser Feldstopzonen (11) ist dabei derart eingestellt, daß sich von der Oberfläche der Ätzschultern (12) in die Tiefe des Halbleiterkörpers hinein ein abnehmender Gradient im Konzentrationsverlauf der Dotierung ergibt. Auf diese Weise kann selbst bei Extrembedingungen sichergestellt werden, daß auch im Randbereich (RB) des Leistungshalbleiterbauelementes die Volumen-Durchbruchsspannung gewährleistet wird. Die vorliegende Erfindung ist insbesondere bei in Mesa-Struktur ausgebildeten Leistungshalbleiterbauelementen, insbesondere bei pin-Dioden, asymmetrischen Thyristoren wie z.B. GTOs, IGBTs und dergleichen anwendbar.</p> |
