SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR ITS PRODUCTION

摘要

Erfindungsgemäss wird ein Halbleiterbauelement mit zumindest einer Schicht aus Wolframoxid (WOx), gegebenenfalls einer strukturierten Schicht aus Wolframoxid (WOx), bereitgestellt. Das erfindungsgemässe Halbleiterbauelement ist dadurch gekennzeichnet, dass die relative Dielektrizitätskonstante ( epsilon r) der Wolframoxidschicht (WOx) grösser als 50 ist.