| 摘要 |
<p>L'invention concerne un système de lithographie à ultraviolets extrêmes (EUV) sans masque, utilisant des ensembles de microlentilles pour focaliser un rayonnement EUV (au niveau d'une longueur d'onde sur 11.3nm) sur des points focalisés à diffraction limitée (58-nm FWHM), sur une surface d'impression de tranche. Les points de focalisation sont modulés en intensité au moyen de démodulateurs de micro-obturateurs, et sont balayés ligne par ligne sur une surface de tranche, afin de créer une image d'exposition numériquement synthétisée. Ledit système utilise une configuration de microlentille à deux étages, afin d'obtenir à la fois un facteur de remplissage élevé et une efficacité de transmission. Le rayonnement EUV est fourni par une source à plasma 6 kHz xénon, et le système optique d'éclairage comprend un miroir de condenseur asphérique, un miroir de collimation sphérique, et deux ensembles de miroirs de renvoi plats, étagés, qui séparent le rayonnement en champs de rayonnement distincts couvrant des ensembles de micro-lentilles individuelles. (Le système ne comporte pas de système optique de projection du fait que les éléments de modulation d'image sont intégrés dans les ensembles de mictolentilles). La capacité d'impression est estimée à 62 (300-mm) tranches par heures (en supposant que le seuil d'exposition de résist est de 20 mJ/cm2), et la résolution de l'impression est estimée 70 nanomètres pour des motifs négatifs et positifs mélangés (pour k¿1?=0.6).</p> |
