| 发明名称 | 降低随机存取记忆体的周边接触窗高宽比的方法 | ||
| 摘要 | 一种降低随机存取记忆体的周边接触窗高宽比的方法,包括下列步骤:a、形成多晶硅层、电容及一氮化物层于一半导体基板上;b、再沉积一多晶硅层;c、沉积一氧化物层于步骤(b)的多晶硅层上;d、显影一第一光阻层于氧化物层的预定位置;e、蚀刻未受光阻层保护部分;f、去除光阻层;g、显影一第二光阻层于氧化物层的预定位置;h、蚀刻未受光阻层保护部分;I、金属化经被蚀刻部分形成周边接触窗;J、形成一堆叠接触窗在上述接触窗上。 | ||
| 申请公布号 | CN1260587A | 申请公布日期 | 2000.07.19 |
| 申请号 | CN99100109.5 | 申请日期 | 1999.01.08 |
| 申请人 | 世大积体电路股份有限公司 | 发明人 | 杜友伦;许正源;张格荥 |
| 分类号 | H01L21/8242;H01L21/3205 | 主分类号 | H01L21/8242 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 徐娴 |
| 主权项 | 1、一种降低随机存取记忆体的周边接触窗高宽比的方法，其特征在于，包括下列步骤：a、形成至少二层多晶硅层、至少二个电容及一氮化物层于一半导体基板上；b、再沉积一层多晶硅层于半导体基板上；c、沉积一氧化物层于步骤(b)所沉积的多晶硅层上；d、显影一第一光阻层于氧化物层的预定位置上；e、蚀刻半导体基板上未受第一光阻层保护的部份；f、去除第一光阻层；g、显影一第二光阻层于氧化物层的预定位置上；h、蚀刻半导体基板上未受第二光阻层保护的部份；I、金属化经(h)步骤所蚀刻的部份以形成周边接触窗；J、形成一堆叠接触窗于步骤(i)所形成的周边接触窗上。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||