| 发明名称 | 发光二极管阵列及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的发光二极管阵列包括：第一导电类型的半导体衬底和直线排列在衬底上的多个发光元件。每个发光元件包括：第一导电类型覆盖层；第二导电类型覆盖层；Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>)<SUB>y</SUB>In<SUB>1-y</SUB>P(这里0≤x≤1和0≤y≤1)激活层,它介于两覆盖层之间;以及第二导电类型电流扩散层，它淀积在第二导电类型覆盖层上。在发光二极管阵列中，在相邻两个发光元件之间，至少它们的第二导电类型电流扩散层和第二导电类型覆盖层是电绝缘的。 | ||
| 申请公布号 | CN1054704C | 申请公布日期 | 2000.07.19 |
| 申请号 | CN95108782.7 | 申请日期 | 1995.08.25 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 仓桥孝尚;阪田昌彦 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 孙敬国 |
| 主权项 | 1.一发光二极管阵列，包括：第一导电类型的半导体衬底，以及按直线布置在第一导电类型衬底上的多个发光元件，多个发光元件中的每一个发光元件包括：第一导电类型的覆盖层；第二导电类型的覆盖层；(AlxGa1-x)yIn1-yP激活层，这里0≤x≤1和0≤y≤1，它介于第一导电类型覆盖层和第二导电类型覆盖层之间；以及第二导电类型的电流扩散层，它淀积在第二导电类型的覆盖层之上，其特征在于，其中，在多个发光元件的两个相邻发光元件之间，至少使它们的第二导电类型的电流扩散层和第二导电类型的覆盖层相互电绝缘。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||