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发明名称 Method of forming shallow junctions in field effect transistors
摘要
申请公布号 EP0543223(B1) 申请公布日期 2000.07.19
申请号 EP19920118906 申请日期 1992.11.04
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 SCHWALKE, UDO;ZELLER, CHRISTOPH;ZEININGER, HEINRICH J.;HAENSCH, WILFRIED
分类号 H01L21/265;H01L29/78;H01L21/225;H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/225 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
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