| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法和制造该半导体装置时使用的增强带 | ||
| 摘要 | 半导体器件包括形成带状且配置多个预定布线图形的薄膜绝缘带,和在绝缘带表面的纵向方向上按一定间隔装载的与布线图形电连接的集成电路芯片,而且,配有沿纵向方向在绝缘带的两侧有用于传送的输送孔的厚膜增强带。 | ||
| 申请公布号 | CN1260589A | 申请公布日期 | 2000.07.19 |
| 申请号 | CN99127785.6 | 申请日期 | 1999.12.01 |
| 申请人 | 夏普公司 | 发明人 | 中村仲荣 |
| 分类号 | H01L23/12;H01L23/48;H01L21/48;H01L21/50 | 主分类号 | H01L23/12 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，该半导体器件(1)包括形成为带状且配置多个预定布线图形(5)的薄膜绝缘带(2)，和在该绝缘带(2)表面纵向方向上按一定间隔装载且与所述布线图形(5)电连接的半导体元件(4)，在所述绝缘带(2)的两侧沿纵向方向，设置具有传送用的一定间隔的孔(7)的厚膜增强部件(3)。 | ||
| 地址 | 日本大阪市 | ||