静电感应器件

摘要

一种静电感应器件（ＳＩ器件）至少包括一个ＳＩ晶闸管结构，一个ＩＧＴ和一个电容器，它们均合装在单个单片上。该ＳＩ晶闸管具有一个阴极、一个阳极、一个栅区和一个沟道。该ＩＧＴ具有一个位于沟道表面的阱、一个源极和一个漏极位于阱内，一个栅极绝缘膜形成在阱上，并有一个栅电极位于栅绝缘膜上。电容器包括ＳＩ晶闸管的栅区、位于此栅区的栅绝缘膜和栅极。该阴极和漏区通过一高导电极相互连接。

主权项

1.一种静电感应器件，包括：一个静电感应晶闸管，至少具有一个高杂质浓度的第一导电类型的阴极区，一个阳极区和一对高杂质浓度的第二导电类型的栅区，以及低杂质浓度的第一导电类型的沟道；一个IGT，至少具有一个第一导电类型的阱，形成在所述沟道的一部分表面上，该阱的杂质浓度高于所述沟道的杂质浓度，一个高杂质浓度的第二导电类型的漏极区，该漏极区形成在所述阱内，一个源极区，是与所述栅区或一个高杂质浓度的第二导电类型区之一相同的区，它与该栅区电气相连，一个栅绝缘膜，形成在所述阱上，并有一个栅电极形成在所述栅绝缘膜上；以及一个电容器，包括所述栅区、形成在该栅区上的所述栅绝缘膜、和所述栅电极；其中所述静电感应晶闸管、所述IGT和所述电容器合并在单个单片上，其中所述阴极和漏极区至少具有通过一个阴极互连的结构，和其中控制电压作用到所述栅电极上，以控制在所述阴极和阳极区之间流动的主电流的传导和阻塞。