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In einem magnetoresistivem Element ist ein nichtmagnetisches Schichtelement (3) zwischen einem ersten ferromagnetischen Schichtelement (1) und einem zweiten ferromagnetischen Schichtelement (2) angeordnet. Das nichtmagnetische Schichtelement (3) besteht aus einem Material, das in einem Temperaturbereich, der bei der Herstellung des magnetoresistiven Elementes erforderlich ist, eine Diffusionsbarrierewirkung aufweist und selbst nicht in die benachbarten ferromagnetischen Schichtelemente eindiffundiert. Das magnetoresistive Element ist sowohl als Sensorelement als auch als Speicherelement einer Speicherzellenanordnung geeignet.
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