发明名称 Verfahren zur Herstellung Silizium-Einkristalle durch das kontinuierlichen Czochralski-Verfahren
摘要
申请公布号 DE69702219(D1) 申请公布日期 2000.07.13
申请号 DE19976002219 申请日期 1997.02.24
申请人 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 发明人 NAGAI, NAOKI;HARADA, ISAMU;ODA, MICHIAKI
分类号 C30B15/02;C30B15/22;C30B29/06;(IPC1-7):C30B15/02 主分类号 C30B15/02
代理机构 代理人
主权项
地址