形成半导体器件的方法

摘要

本发明公开了一种改进了的制造绝缘栅场效应晶体管的方法。该方法包括下列步骤：在绝缘衬底上形成半导体薄膜，在所说半导体薄膜上形成栅绝缘薄膜，在所说的栅绝缘薄膜上形成栅电极，阳极氧化所说栅电极，以形成覆盖栅电极的外表面的氧化物薄膜，按相应的半导体薄膜给栅电极加负电压或正电压。加负电压能有效地消除在正电压进行阳极氧化过程中产生的晶格缺陷和界面态。

主权项

1、一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在绝缘衬底上形成半导体区；在所说的半导体区上形成作为栅绝缘薄膜的绝缘薄膜；在所说的绝缘薄膜上形成导电薄膜，该导电薄膜用铝、铬、钛、钽和硅中的一种制成，或由主要包含这些金属中的至少一种的合金制成，或是这些金属的多层金属薄膜；形成覆盖在所说导电薄膜表面上的氧化薄膜，该氧化薄膜是在电解液中给导电薄膜加正电压形成的；给所说的导电薄膜加正电压之后，给所说导电薄膜加负电压或正电压，以改善所说的半导体区，或所说半导体区与所说绝缘薄膜之间的界面。