衰减相位移光罩之制造方法及其材料(追加一)

摘要

本发明系有关于一种衰减相位移光罩之制造方法及其材料，利用磁控溅镀沈积法，以(LaNiO3)x(Ta2O5)1-x为靶材沈积制作以LaNiTaO(LNTaO)为其材料的衰减相位移光罩，可以适用于I线和深紫外光(DUV)的曝光系统。本发明之重点在于藉由适当地调整其反应气体氧气(O2)和氩气(Ar)的比例以及对于靶材Ta2O5和LaNiO3的溅射功率，就可以得到光学特性适合作为相位移光罩的LNTaO膜。

主权项

1.一种衰减相位移光罩之制造方法及其材料,其制造方法系利用磁控溅镀沈积法(magnetron sputteringdeposition),以(LaNiO|^3)x(Ta|^2O|^5)|^1.^-|^x为靶材,溅镀沈积LaNiTiO (LNTaO)材料之衰减相位移膜于基板上,制作出衰减相位移光罩,其中:LNTaO之折射率在1.9~2.3之间;LNTaO之衰减系数在0.35~0.55之间;LNTaO曝光在波长为248 nm至632 nm的光线下,其透光率为3 ﹪至12 ﹪之间;LNTaO曝光在波长为248 nm至632 nm的光线下,其反射率小于20﹪。2.如申请专利范围第1项所述之衰减相位移光罩之制造方法及其材料,其中所述利用磁控溅镀沈积LNTaO膜时,其系统反应压力约为10 mtorr。3.如申请专利范围第1项所述之衰减相位移光罩之制造方法及其材料,其中所述利用磁控溅镀沈积LNTaO膜时,其反应气体为氧气与氩气。4.如申请专利范围第2项所述之衰减相位移光罩之制造方法及其材料,其中所述氧气与氩气的比例约为80:20。5.如申请专利范围第4项所述之衰减相位移光罩之制造方法及其材料,其中所述利用磁控溅镀沈积LNTaO膜时,对于LaNiO|^3的溅射功率大约为80瓦特(Watt),而Ta|^2O|^5的溅射功率介于35至40瓦特之间。6.如申请专利范围第2项所述之衰减相位移光罩之制造方法及其材料,其中所述氧气与氩气的比例约为85:15。7.如申请专利范围第6项所述之衰减相位移光罩之制造方法及其材料,其中所述利用磁控溅镀沈积LNTaO膜时,对于LaNiO|^3的溅射功率大约为50瓦特,而Ta|^2O|^5的溅射功率约为25瓦特之间。