使用铁电膜之非挥发性半导体记忆装置及其制造方法

摘要

一种选择性电晶体系制成于一矽基材(1)上，一包括钛膜与铂膜之底电极(5)、一SrBi2Ta2O9膜、一包括铂膜之顶电极(7)、及一具有此一结构以覆盖顶电极(7)与 SrBi2Ta2O9膜(6)知二氧化钛膜(9)皆形成于矽基材上所设之一层间绝缘膜(4)上，矽基材包括选择性电晶体。顶电极(7)及选择性电晶体之一汲区域(12b)系藉由金属线路(11)经过顶电极(7)及选择性电晶体汲极上形成之接触孔，以利相互导通。依据具有上述结构之半导体记忆装置，二氧化钛膜及底电极可在一制程中持续地制成图案，因此，所涉及之制程数量即可减少且可达成降低成本。

主权项

1.一种半导体记忆装置,其中一选择性电晶体系形成于一半导体基材 (1) 上,及其中一底电极包含钛膜及铂膜或铂合金膜且做为一入口、一铁电膜 (6)、一顶电极 (7)包含铂膜或铂合金膜、及一二氧化钛膜 (9) 做为一隔层金属且以此结构覆盖顶电极 (7),铁电膜 (6) 系形成于半导体基材 (1) 上所设之一层间绝缘膜 (4) 上,该半导体基材包括选择性电晶体,其中顶电极 (7) 及选择性电晶体之一汲区域 (12b) 系藉由金属线路 (11) 经过顶电极 (7) 与选择性电晶体汲区域 (12b) 上形成之接触孔,以利相互导通。2.一种用于制造一半导体记忆装置之方法,包含:一步骤,系在形成一选择性电晶体于一矽基材 (1)上之后,经由一层间绝缘膜 (4) 以一一地积置一钛膜(5)、一第一铂膜 (5) 或铂合金膜、一铁电膜 (6)及一第二铂膜 (7)或铂合金膜;一步骤,将第二铂膜 (7)或铂合金膜制图成一特定结构,藉此形成一顶电极 (7),及随后将铁电膜 (6) 制图成一特定结构;一步骤,系在积置一二氧化钛膜 (9) 于整体上之后,将二氧化钛膜 (9)、铂膜 (7) 及钛膜 (5) 制图成一特定结构,藉此形成一底电极 (5),以做为一入口及包含铂膜及钛膜;一步骤,系在形成一层间绝缘膜 (10) 于整体上之后,形成接触孔于顶电极 (7) 及选择性电晶体之一汲区域 (12b) 上;及一步骤,利用金属线路 (11) 衔接顶电极 (7) 及选择性电晶体之汲区域 (12b)。