| 主权项 |
1.一种以双重离子布植形成自动对准之矽化金属层的方法,其制程步骤包括有:a.于一起始半导体基板上,制作源/闸/汲极之场效电晶体主体结构;b.以第一次离子植入于所述源/闸/汲极上,形成非晶格化区域;c.以第二次离子植入于所述非晶格化区域之表面上形成一层扩散阻障层;d.于整个半导体元件上形成一均匀金属层;e.以热处理制程,形成自动对准之矽化金属层;f.以湿蚀刻方式,去除所述热处理制程中未反应之所述金属层。2.如申请专利范围第1项以双重离子布植形成自动对准之矽化金属层的方法,其中所述之半导体基板,系为矽基板。3.如申请专利范围第1项以双重离子布植形成自动对准之矽化金属层的方法,其中所述之半导体基板,系为化合物半导体基板。4.如申请专利范围第1项以双重离子布植形成自动对准之矽化金属层的方法,其中步骤b.所述之第一次离子植入制程,其所使用之第一次离子源为矽离子,且其能量约介于20KeV-50KeV之间。5.如申请专利范围第4项以双重离子布植形成自动对准之矽化金属层的方法,其中所述之矽离子植入制程,其所植入之矽离子浓度约在5E14-2E15之间。6.如申请专利范围第1项以双重离子布植形成自动对准之矽化金属层的方法,其中步骤c.所述之第二次离子植入制程,其所使用之第二次离子源为砷离子或氮离子,且其能量约介于6KeV-10KeV之间。7.如申请专利范围第6项以双重离子布植形成自动对准之矽化金属层的方法,其中所述之砷离子植入制程,其所植入之砷离子浓度约在1E13-3E14之间。8.如申请专利范围第1项以双重离子布植形成自动对准之矽化金属层的方法,其中步骤d.所述之第一次金属层,系以PVD法所形成。9.如申请专利范围第1项以双重离子布植形成自动对准之矽化金属层的方法,其中步骤d.所述之第一次金属层,系以CVD法所形成。10.如申请专利范围第1项以双重离子布植形成自动对准之矽化金属层的方法,其中步骤d.所述之金属层,其组成系为Ti。11.如申请专利范围第1项以双重离子布植形成自动对准之矽化金属层的方法,其中步骤d.所述之金属层,其组成系为Ni。12.如申请专利范围第1项以双重离子布植形成自动对准之矽化金属层的方法,其中步骤d.所述之金属层,其组成系为Co。13.如申请专利范围第1项以双重离子布植形成自动对准之矽化金属层的方法,其中步骤d.所述之金属层,其组成系为W。14.如申请专利范围第1项以双重离子布植形成自动对准之矽化金属层的方法,其中步骤e.所述之热处理制程,系为二次快速热退火制程。15.如申请专利范围第14项以双重离子布植形成自动对准之矽化金属层的方法,其中所述之二次快速热退火制程,系包括有,第一阶段之650℃-725℃与第二阶段之830℃-880℃热处理制程。第一图系为一制作进行中之半导体元件,显示一场效电晶体上源/闸/汲极主体结构之剖面结构图。第二图系为一制作进行中之半导体元件,显示图一之结构,再经矽离子布植,而在源/闸/汲极上形成非晶格区域的情形。第三图系为一制作进行中之半导体元件,显示图二之结构,再以低能量低剂量砷离子布植,在所形成的非晶格区域表面,覆盖一层砷之后的剖面结构图。第四图系为一制作进行中之半导体元件,显示图三所示之结构上,形成一层金属层后的剖面结构图。第五图系为一制作进行中之半导体元件,显示图四上之金属层,经快速热退火制程,而在源/闸/汲极上形成自动对准之矽化金属层后的剖面结构图。 |
