| 主权项 |
1.一种开口的制造方法,该方法包括:}于一表面高低起伏之基底上,依序形成一未含杂质的矽玻璃薄层、一耐酸蚀介电材料层和一含磷玻璃层;进行该含磷玻璃层的热回流制程:完全回蚀该含磷玻璃层,以进行该耐酸蚀介电材料层的一平坦化制程;于该耐酸蚀介电材料层上形成已图案化的一光阻层;以该光阻层为蚀刻罩幕,蚀刻该耐酸蚀介电材料层与该未含杂质的矽玻璃层,以形成一开口暴露出该基底;以及以一酸液去除该光阻层。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该耐酸蚀介电材料层的材质包括硼矽玻璃。3.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中该耐酸蚀介电材料层之硼含量约0.5wt%-10wt%。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该耐酸蚀介电材料层的材质包括磷矽玻璃。5.如申请专利范围第4项所述之制造方法,其中该耐酸蚀介电材料层之磷含量约0.5wt%-10wt%。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该耐酸蚀介电材料层的材质包括未含杂质的矽玻璃。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该耐酸蚀介电材料层的厚度约500A-20000A。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该磷玻璃层的材质包括硼磷矽玻璃。9.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中该含磷玻璃层之硼含量和磷含量各约5wt%-10wt%。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该含磷玻璃层的材质包括磷矽玻璃。11.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中该含磷玻璃层之磷含量约0.5wt%-10wt%。12.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该含磷玻璃层的厚度约500A-20000A。13.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该开口包括介层窗开口。14.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该开口包括接触窗开口。15.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中完全回蚀该含磷玻璃层的方法包括等向性蚀刻法。16.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中蚀刻该耐酸蚀介电材料层与该未含杂质的矽玻璃层的方法包括非等向性蚀刻法。17.一种开口的制造方法,该制造方法包括:于一表面高低起伏之基底上,依序形成一未含杂质的矽玻璃薄层与一含磷玻璃层;进行该含磷玻璃层的热回流制程:完全回蚀该含磷玻璃层,以进行该未含杂质的矽玻璃层的一平坦化制程;于该未含杂质的矽玻璃层上形成已图案化的一光阻层;以该光阻层为蚀刻罩幕,蚀刻未含杂质的矽玻璃层,以形成一开口暴露出该基底;以及以一酸液去除该光阻层。18.如申请专利范围第17项所述之制造方法,其中该未含杂质的矽玻璃层的厚度约500A-20000A。第一图绘示一种习知之介层窗开口示意图;第二图A至第二图E绘示一种习知之开口之制造方法示意图;以及第三图A至第三图E绘示依照本发明一较佳实施例的一种开口的制造方法示意图。 |
