| 主权项 |
1.一种数位式记忆体,其特征为具有:-至少一条资料线(DL),其可将资料写入记忆体中以及将资料由记忆体中读出,-位址线(AL),在读出和写入过程时可对记忆体进行定址,-电路单元(S),其在驱动状态时可使至少一条资料线(DL)或至少一条位址线(AL)上之信号反相以及在未受驱动之状态时使记忆不受影响,-第一操作模式,在此种模式中电路单元(S)在写入和读出时处于相同之状态,-第二操作模式,在此种模式中电路单元(S)在写入和读出时分别处于相反之状态。2.一种数位式记忆体用之操作方法,其特征为:-在第一操作模式中在读出过程期间施加位址(BADR,WADR)时,先前写入此种位址中之资料被读出而未改变其逻辑状态,-在第二操作模式中在读出过程期间施加位址时资料被读出,这些资料和先前在同一位址中所写入之资料是互相成反相的。3.如申请专利范围第2项之方法,其中:-在操作模式中资料以和先前所写入者同一逻辑状态之方式而被读出,-在第二操作模式中所读出之资料是和已写入者互相成反相的。4.如申请专利范围第2项之方法,其中-在第一操作模式中在读出过程期间施加位址(BADR,WADR)时所定址之记忆体单胞是和写入过程期间施加同一位址时所定址之单胞相同,-在第二操作模式中在读出过程期间施加位址时所定址之记忆体单胞是和写入过程期间施加同一位址时所定址之单胞不同。5.如申请专利范围第4项之方法,其中-在记忆体之第一记忆区(M1)中写入第一逻辑状态(0)之资料且在记忆体之第二记忆区(M2)中写入第二逻辑状态(1)之资料,-在第二操作模式中在读出过程期间藉由施加一种在写入过程中属于第一记忆区(M1)之位址(BADR,WADR)而使资料由第二记忆区(M2)中读出。第一图本发明之记忆体之第一实施例。第二图本发明之记忆体之第二实施例。第三图本发明之记忆体之第三实施例。 |
