| 主权项 |
1.一种用于重熔焊接金属表面的方法,该方法包括 的 步骤有: 在有效乾式清洁或是乾式助熔该至少一金属表面 的条 件下,将至少一金属表面暴露在趋近于大气压力下 的处理 气体,该处理气体包括被激发或是不稳定的气态物 种,并 且大体上不含带电荷的物种。2.根据申请专利范 围第1项的方法,其中该至少一金 属表面是一金属基板,并且在网版印刷一焊料膏在 金属基 板上之前进行该暴露步骤。3.根据申请专利范围 第2项的方法,其中该金属基板 是一电路板。4.根据申请专利范围第2项的方法,其 中该金属基板 是一印刷在环氧树脂电路板上的传导轨迹。5.根 据申请专利范围第1项的方法,其中该至少一金 属表面是一焊料膏,并且在网版印刷该焊料膏在一 金属基 板上之后、但在安置上一物体之前,来进行该暴露 步骤是 ,该物体在焊料膏上是至少部份金属的。6.根据申 请专利范围第1项的方法,其中该至少一金 属表面是以焊接来安置在金属基板上的一物体之 金属表面 ,并且在将该物体安置在金属基板上之后、但在加 热该焊 料以重熔焊接该物体到金属基板上之前,来进行该 暴露步 骤。7.根据申请专利范围第1项的方法,其中在引起 焊料 重熔的加热步骤之至少一部分期间,来进行该暴露 步骤。8.根据申请专利范围第1项的方法,其中在重 熔焊接 至少部分金属的物体到金属基板上之后,来进行该 暴露步 骤。9.根据申请专利范围第1项的方法,其中该处理 气体 是藉由使一起始气体混合物经过至少一个用来形 成被激发 或不稳定之气态物种的装置而获得。10.根据申请 专利范围第9项的方法,其中该起始气体 混合物包括氢气。11.根据申请专利范围第9项的方 法,其中该起始气体 混合物包括水气。12.根据申请专利范围第9项的方 法,其中该起始气体 混合物包括体积从约 50ppm 到约 6% 的水气。13.根 据申请专利范围第9项的方法,其中该起始气体 混合物包括体积从约 100ppm 到约 1% 的水气。14.根 据申请专利范围第9项的方法,其中该起始气体 混合物包括体积从约 500ppm 到约 5000ppm 的水气。15 .根据申请专利范围第1项的方法,其中该处理气体 的获得是来自下列的混合物:(1)通过用来形成被激 发或不 稳定的气态物种之装置的起始气体混合物,以及(2) 并未通 过该装置之邻接气体混合物。16.根据申请专利范 围第15项的方法,其中该起始气 体混合物包括氢气。17.根据申请专利范围第15项 的方法,其中该起始气 体混合物包括水气。18.一种用于重熔焊接金属表 面的方法,该方法包括的 步骤有: (a)网版印刷一焊料膏在一金属基板上; (b)将至少部份金属的物体安置在该焊料膏上; (c)加热该焊料膏,以重熔焊接至少部分金属的物体 到 该金属基板;并且 (d)在步骤(a)、(b)和(c)当中至少一个步骤之前、期 间 或是之后,在有效乾式助熔或乾式清洁该金属基板 、焊料 膏或是至少部分金属之物体的条件下,将该金属基 板、焊 料膏、或是至少部分金属的物体当中至少一个,暴 露在一 趋近于大气压力下的气体中,该气体包括被激发或 不稳定 的气态物种,并且大体上不含带电荷的物种。19.根 据申请专利范围第18项的方法,其中该气体是 藉由使一起始气体混合物通过一装置而获得,该装 置是用 来形成被激发或是不稳定的气态物种。20.根据申 请专利范围第19项的方法,其中该起始气 体混合物包括氢气。21.根据申请专利范围第19项 的方法,其中该起始气 体混合物包括水气。22.根据申请专利范围第19项 的方法,其中该起始气 体混合物包括体积从约 50ppm 到约 6% 的水气。23. 根据申请专利范围第19项的方法,其中该起始气 体混合物包括体积从约 100ppm 到约 1% 的水气。24. 根据申请专利范围第19项的方法,其中该起始气 体混合物包括体积从约 500ppm 到约 5000ppm 的水气 。25.根据申请专利范围第18项的方法,其中该处理 气 体的获得是来自下列的混合物:(1)通过用来形成被 激发或 不稳定的气态物种之装置的起始气体混合物,以及 (2)并未 通过该装置之邻接气体混合物。26.根据申请专利 范围第25项的方法,其中该起始气 体混合物包括氢气。27.根据申请专利范围第25项 的方法,其中该起始气 体混合物包括水气。28.根据申请专利范围第18项 的方法,其中该金属基 板是一电路板。29.根据申请专利范围第18项的方 法,其中该金属基 板是一印刷在环氧树脂电路板上的传导轨迹。 第一图是适合用来进行根据本发明方法之设备的 示意性 视图。 第二图用剖视图示意地显示用来形成被激发或不 稳定气 态物种之装置的实例,该实例适合于进行根据本发 明的方法。 |
