| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Einrichtung zum Beschichten von Substraten mittels bipolarer Puls-Magnetron-Zerstäubung mit drei oder mehr Targets. Die Substrate werden gegenüber den Targets im wesentlichen im Bereich hoher Plasmadichte angeordnet, wobei jeweils mindestens zwei Targets mit einer potentialfreien bipolaren Stromversorgungseinrichtung verbunden und für eine vorgegebene Zeit bipolar zerstäubt werden und die Auswahl der jeweils mit der bipolaren Stromversorgungseinrichtung verbundenen Targets im Verlauf des Beschichtungsvorganges nach einem technologisch vorgegebenen Programm geändert wird. Die Einrichtung besteht aus mindestens drei Magnetronquellen (17, 17', 17'') mit Targets (18, 18', 18''), einer potentialfreien bipolaren Stromversorgungseinrichtung (21) und einer Umschalteinrichtung (20) zur Umschaltung der aktuellen elektrischen Verbindung ausgewählter Targets mit der bipolaren Stromversorgungseinrichtung (21) nach einem technologisch vorgegebenen Programm.</p> |
