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Die Erfindung betrifft ein bipolares Hochvolt-Leistungsbauelement, insbesondere einen IGBT, mit einem Halbleiterkörper, auf dem wenigstens zwei voneinander beabstandete Elektroden (K, A) vorgesehen sind, zwischen denen eine Driftstrecke in einem Halbleitergebiet (1) eines ersten Leitungstyps ausgebildet ist. In dem Halbleitergebiet (1) befinden sich floatende Zonen (7) eines zweiten, zum ersten Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyps, die beim Einschalten bzw. Ausschalten des Leistungsbauelements Ladungsträger des zweiten Leitungstyps in das Halbleitergebiet (1) abgeben bzw. von diesem aufnehmen und über jeweils einen MOS-Transistor (8) mit einem Kanal des zweiten Leitungstyps bzw. einen Bipolartransistor (9) mit einer Basis des ersten Leitungstyps an mit den beiden Elektroden (K, A) verbundene aktive Bereiche (3, 2) des Leistungsbauelements angeschlossen sind.
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