| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bor-Dotierung von Wafern unter Einsatz eines Vertikalofensystems. Das eingesetzte Vertikalofensystem (1) weist einen sich von einem oberen Ende zu einem unteren Ende vertikal erstreckenden Reaktionsraum (2) mit mehreren unabhängig voneinander heizbaren Temperaturzonen (5a - 5e) auf. Eine obere Temperaturzone (5a) ist an einem Gaseinlass (6) für ein borhaltiges Reaktivgas vorgesehen. Die weiteren Zonen (5b - 5e) schließen sich bis zum unteren Ende des Reaktionsraumes (2) an die obere Zone an. Bei dem Verfahren wird das borhaltige Reaktivgas über im Reaktionsraum befindliche Wafer (4) geleitet. Aus der dadurch auf den Wafern abgeschiedenen Borschicht diffundiert das Bor anschließend in die Waferoberfläche. Beim erfindungsgemäßen Verfahren wird die Temperatur der weiteren Zonen (5b - 5e) so eingestellt, dass während der Abscheidung über den weiteren Zonen ein Temperaturanstieg und während der Diffusion über den weiteren Zonen ein Temperaturabfall zum unteren Ende des Reaktionsraumes (2) hin aufrechterhalten werden.</p> |
