半导体器件及其制造方法

摘要

在除图象元素部分之外的无定形硅薄膜上,在预定的外围电路部分的区域内引入镍,以从该区域结晶。在栅电极和其他电极形成之后,用掺杂法形成源、漏和沟道,用激光照射改善结晶。之后,形成电极/引线。因此,获得有源矩阵型液晶显示器,它的外围电路部分中的薄膜晶体管(TFT),由结晶薄膜结构,其晶体在平行于载流子流的方向里生长,在图象元素部分里的TFT_S由无定形硅薄膜构成。

主权项

1.一种包括基片和在基片上形成的多个薄膜晶体管的半导体器件，包括：至少一个具有包括硅的结晶半导体膜的薄膜晶体管，其中结晶半导体膜有一个和载流子运动的方向一致的晶体生长方向。