发明名称 一种制备纳米级碳化硅晶须/纤维的方法
摘要 本发明公开了一种制备纳米级碳化硅晶须/纤维的方法。该方法是以SiO<SUB>2</SUB>和CH<SUB>4</SUB>为原料,依次经过SiO<SUB>2</SUB>的氧化还原反应,CH<SUB>4</SUB>的分解反应,Si与C的合成反应过程制成纳米级SiC<SUB>w</SUB>/SiC<SUB>f</SUB>;本发明的技术特征在于,所采用的原料气为CH<SUB>4</SUB>,还原剂为第Ⅰ、第Ⅱ主族金属的纳米粉末及所采用的过渡金属催化剂。本发明同以酚醛树脂为原料及以SiCl<SUB>4</SUB>为原料法生产纳米级碳化硅方法相比,具有制造成本低,无环境污染和节能的特点。
申请公布号 CN1257944A 申请公布日期 2000.06.28
申请号 CN99126280.8 申请日期 1999.12.22
申请人 天津大学 发明人 崔屾;乔亚莉;崔兰;吕成章
分类号 C30B29/36;C30B29/62 主分类号 C30B29/36
代理机构 天津大学专利代理事务所 代理人 任延
主权项 1、一种制备纳米级碳化硅晶须/纤维的方法,它是以SiO2和烷烃气为原料,金属纳米粉末为还原剂及气体为助还原剂,在过渡金属催化剂的作用下,并依次经过SiO2的氧化还原反应,原料气的分解反应,Si与C的合成反应过程制备成纳米级碳化硅晶须/纤维,其特征是:原料气采用CH4;氧化还原反应采用Mg、或者Ca、或者Na、或者K的纳米粉末为还原剂,以H2为助还原剂;原料气的分解反应,采用Co、或者Ni、或者它们的混合物为催化剂,反应压力为0.1-5MPa;Si与C的合成反应温度在600-900℃。
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