发明名称 | 一种制备纳米级碳化硅晶须/纤维的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种制备纳米级碳化硅晶须/纤维的方法。该方法是以SiO<SUB>2</SUB>和CH<SUB>4</SUB>为原料,依次经过SiO<SUB>2</SUB>的氧化还原反应,CH<SUB>4</SUB>的分解反应,Si与C的合成反应过程制成纳米级SiC<SUB>w</SUB>/SiC<SUB>f</SUB>;本发明的技术特征在于,所采用的原料气为CH<SUB>4</SUB>,还原剂为第Ⅰ、第Ⅱ主族金属的纳米粉末及所采用的过渡金属催化剂。本发明同以酚醛树脂为原料及以SiCl<SUB>4</SUB>为原料法生产纳米级碳化硅方法相比,具有制造成本低,无环境污染和节能的特点。 | ||
申请公布号 | CN1257944A | 申请公布日期 | 2000.06.28 |
申请号 | CN99126280.8 | 申请日期 | 1999.12.22 |
申请人 | 天津大学 | 发明人 | 崔屾;乔亚莉;崔兰;吕成章 |
分类号 | C30B29/36;C30B29/62 | 主分类号 | C30B29/36 |
代理机构 | 天津大学专利代理事务所 | 代理人 | 任延 |
主权项 | 1、一种制备纳米级碳化硅晶须/纤维的方法,它是以SiO2和烷烃气为原料,金属纳米粉末为还原剂及气体为助还原剂,在过渡金属催化剂的作用下,并依次经过SiO2的氧化还原反应,原料气的分解反应,Si与C的合成反应过程制备成纳米级碳化硅晶须/纤维,其特征是:原料气采用CH4;氧化还原反应采用Mg、或者Ca、或者Na、或者K的纳米粉末为还原剂,以H2为助还原剂;原料气的分解反应,采用Co、或者Ni、或者它们的混合物为催化剂,反应压力为0.1-5MPa;Si与C的合成反应温度在600-900℃。 | ||
地址 | 300072天津市南开区卫津路92号 |