氢化工艺

摘要

本发明涉及一种新的制造通式Ⅰ的光活性化合物的催化工艺：其中Ｒ¹和Ｒ²表示烷基,它可在α或β以外的位置供选择地被一个Ｏ原子所间断，或者供选择地被苄基所取代；Ｒ^３代表氢，低级烷基，它可供选择地被苄基，－ＣＯ－Ｒ^４，－ＣＯＯＲ^４或－ＣＯＮＲ^４₂所取代；Ｒ^４代表低级烷基或芳基；它是在一种光活性络合物，最好是阻断异构的二膦烷配体与第Ⅷ族金属形成的络合物存在的条件下，不对称地氢化通式Ⅱ的化合物而实现的。

主权项

1.一种对映选择性地制造具有下式的光活性化合物的工艺：其中R¹和R²代表烷基它可在α或β以外的位置供选择地被一个O原子所间断，或者供选择地被苄基所取代，R³代表H，低级烷基，它可供选择地被苄基，-CO-R⁴，-COOR⁴或-CONR₂⁴所取代，R⁴代表低级烷基或芳基；该工艺包括在一种光活性的，阻转异构的二膦烷与第VIII族金属所形成的络合物存在的条件下，不对称地氢化具有下列通式的化合物：其中R¹，R²和R³的意义与前相同，其中所述阻转异构的二膦烷与第VIII族金属所形成的络合物是一种具有下面式III-a至III-d中任一式的光活性钌-二膦烷络合物：     [RuL]²+(X)₂       III-a     [RuLX²]²+(X)₂    III-b     [RuLX¹X²]+X³     III-c     RuL(X⁴)₂          III-d其中X代表BF₄^-，ClO₄^-，B(苯基)₄^-，SbF₆^-，PF₆^-或Z¹-SO₃^-，X¹代表卤化物，X²代表苯，六甲基苯或对位伞花烃，X³代表卤化物，ClO₄^-，B(苯基)₄^-，SbF₆^-，PF₆^-，Z¹-SO₃^-或BF₄^-，X⁴代表Z²-COO-或Z³-SO₃^-负离子，Z¹代表卤代低级烷基或卤代苯基，Z²代表低级烷基，苯基，卤代低级烷基或卤代苯基，Z³代表低级烷基或苯基，L代表具有下式的(S)或(R)构型光活性的阻转异构的二膦烷配体：或具有下式的二膦烷配体：其中R⁵和R⁶各自独立地代表低级烷基，低级烷氧基，二-(低级烷基)氨基，羟基，保护的羟基，羟甲基或保护的羟甲基，或者R⁵和R⁶在一起代表一个下列两价基因：-(CH₂)_q-，-CH₂-O-CH₂-，或R⁷代表氢，低级烷基或低级烷氧基，R⁸和R⁹各自独立地代表环烷基，未取代或取代的苯基或一个五元杂芳香环，前提条件是R⁸和R⁹中至少一个代表取代的苯环或五元杂芳香环，R¹⁰代表卤素，羟基，低级烷基，氨基，乙酰氨基，硝基或磺基，R¹¹代表低级烷基，苯基或苄基，R¹²代表低级烷基，或者两个R¹²在一起代表一个二或三亚甲基，p代表零或数字1，2或3，q代表数字3，4或5。