| 发明名称 |
Method of fabricating epitaxial silicon-germanium layers |
| 摘要 |
<p>Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung von relaxierten Epitaxieschichten auf einem Halbleitersubstrat mittels Molekularstrahlepitaxie mit einer Wasserstoffquelle, indem in einer in situ Prozeßfolge an oder nahe der Substratoberfläche eine wasserstoffhaltige Zwischenschicht deponiert oder eingebracht wird, darauf eine verspannte Epitaxieschicht aufgewachsen wird und die Epitaxieschicht mittels einer Temperaturbehandlung relaxiert wird.</p> |
| 申请公布号 |
EP1014431(A2) |
申请公布日期 |
2000.06.28 |
| 申请号 |
EP19990124785 |
申请日期 |
1999.12.14 |
| 申请人 |
DAIMLERCHRYSLER AG |
发明人 |
KIBBEL, HORST;KUCHENBECKER, JESSICA |
| 分类号 |
C30B23/02;H01L21/20;(IPC1-7):H01L21/203 |
主分类号 |
C30B23/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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