发明名称 半导体存储器件
摘要 开关MOSFET插入在读出放大器与互补位线之间:在信号电压被字线从多个被选定的动态存储器单元读出到多对互补位线之后,开关MOSFET的开关控制信号从选择电平被改变到预定的中间电位,由于读出节点根据读出放大器的放大操作而被开通。由放大操作产生的放大信号,响应于列选择信号,通过列选择电路,被传输至输入/输出线,且开关控制信号响应于列选择电路的选择操作而从中间电位电平返回到选择电平。
申请公布号 CN1258079A 申请公布日期 2000.06.28
申请号 CN99126508.4 申请日期 1999.12.22
申请人 株式会社日立制作所 发明人 坂本达哉;永岛靖;竹村理一郎
分类号 G11C11/34;H01L27/10 主分类号 G11C11/34
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王永刚
主权项 1.一种半导体存储器件,它包含:其上分别连接有多个动态存储器单元的地址选择端子的多个字线;其上分别连接有多个动态存储器单元的多对互补位线;插入在所述多对互补位线和多对读出节点之间,用来在其栅处接收控制信号的多对传输MOSFET;具有连接到所述多对读出节点,且适合于响应操作时间信号而被馈以工作电压的分立的输入/输出端子的多个读出放大器;以及其上通过被列选择信号控制开关的列选择电路,连接有所述读出节点的数据输出线,其中所述控制信号的电压电平可以被选择性地设定为选择电平、不选择电平、它们的中间电平三者中的一个电平,其中在信号电压被所述字线的选择操作根据其各自存储的信息从动态存储器单元读出到多对互补位线之后,所述控制信号从选择电平被改变到中间电平,其中所述读出放大器被馈以工作电压,以便响应于所述控制信号到中间电平的改变而开始放大操作,其中所述放大操作产生的放大信号,响应于列选择信号,通过列选择电路,被传输到所述输入/输出线,其中所述控制信号,响应于所述列选择电路的选择操作,从中间电平回到选择电平,以及其中采用在其栅处接收所述中间电平的信号的成对的传输MOSFET,使之在信号从存储器单元被读出到所述互补位线的状态下,具有关断状态即比较高的导通电阻,且使之在读出节点的信号被读出放大器的放大操作放大的状态下,其一个具有开通状态即比较低的电阻,而另一个具有关断状态即比较高的导通电阻。
地址 日本东京