| 摘要 |
<p>Symmetrisch sperrendes Leistungshalbleiterbauelement, z.B. IGBT, bei dem zwischen dem pn-Übergang für Sperrung in Vorwärtsrichtung, der durch einen ersten Basisbereich (1) eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine zweiten Basisbereich (3) eines zweiten Leitfähigkeitstyps gebildet wird, und einem pn-Übergang für Sperrung in Rückwärtsrichtung, der an einer Chipkante von dem ersten Basisbereich (1) und einem Randbereich (30) des zweiten Leitfähigkeitstyps gebildet wird, eine Zone (11) des zweiten Leitfähigkeitstyps ausgebildet ist, die so schwach dotiert ist, dass bereits bei geringer Spannungsbelastung alle freien Ladungsträger daraus entfernt sind. Damit wird erreicht, dass in beiden Sperrichtungen das elektrische Feld im selben Flächenbereich der Chipoberfläche austritt.</p> |
