| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine integrierte Schaltung mit kapazitiven Elementen zur Glättung der Versorgungsspannung. Es wird hier mindestens eine zusätzliche Metallelektrode, die als hochfrequenzoptimierte Kapazität ausgebildet ist und die durch einen äußerst geringen Flächenwiderstand ausgezeichnet ist, den MOS-Kapazitäten parallel geschaltet. Durch die Parallelschaltung der flächenmäßig hocheffektiven, jedoch etwas hochohmiger angebundenen MOS-Kapazität mit flächenmäßig weniger effektiven, jedoch sehr niederohmig an die Versorgungsspannung angeschlossenen Metallkapazitäten kann eine breitbandige Pufferung und somit eine Entkopplung von hochfrequenten Störsignalen erzielt werden. Sehr hochfrequente Störanteile werden auf dem Chip gedämpft und gelangen nicht in das die integrierte Schaltung umgebende System.</p> |
