| 主权项 |
1.一种形成动态随机存取记忆体之方法,包括下列步骤:a.提供一基底,其中该基底具有元件隔离缩构,且在该元件隔离结构中具有主动元件区;b.提供一介电层于该基底之主动元件区上方;c.在该主动元件区提供一第一与一第二转移电晶体,该第一转移电晶体包括一位于该介电层上方之第一闸电极与形成于该基底之一第一与一第二源极/汲极区,该第二转移电晶体包括一位于该介电层上方之第二闸电极与形成于该基底之该第二与一第三源极/汲极区,亦即该第一与第二转移电晶体共同拥有该第二源极/汲极区;d.形成一蚀刻阻绝层于该第一与第二闸电极以及该第一、第二与第三源极/汲极区上方;e.形成一介电层于该蚀刻阻绝层上方,该介电层与该蚀刻阻绝层不同;f.蚀刻去除该第二源极/汲极区上方之介电层,至该蚀刻阻绝层为止,然后更继续蚀刻该蚀刻阻绝层直到与该第二源极/汲极区形成一位元线的接点;以及g.蚀刻去除该第三源极/汲极区上方之介电层,至该蚀刻阻绝层为止,然后更继续蚀刻该蚀刻阻绝层直到在该第三源极/汲极区形成一电荷储存电容,该电荷储存电容以一电极与该第三源极/汲极区连接。2.如申请专利范围第1项所述之方法,在该步骤g之前,更包括一对该介电层的表面施以一平坦化的步骤。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该平坦化的步骤系以化学机械研磨法来完成。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中在该步骤f之前,更包括一平坦化的步骤。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该介电层系一氧化矽层,该蚀刻阻绝层系一氮化矽层。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该蚀刻阻绝层与该第一、第二以及第三源极/汲极区接触。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该蚀刻阻绝层与第一以及第二闸电极以一氧化层隔开。8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该蚀刻阻绝层系一氮化矽层,该介电层系一氧化矽层。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该电荷储存电容包括一下电极与该第三源极/汲极区、一高介电常数电容介电质以及一上电极接触。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该高介电常数电容介电质是由包括钽氧化物与钛酸盐族的物质所选择出来。11.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该高介电常数电容介电质是由包括五氧化钽、钡锶钛酸盐与铅锌钛酸盐中所选择出来。12.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该上电极以异于多晶矽的其它导电物质与高介电常数电容介电质面接。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该上电极包括一由氮化钛、钨、氮化钨、铂、钌、铱、钼与氮化钼族所选择出来的物质。14.一种形成动态随机存取记忆体之方法,包括下列步骤:a.提供一基底,其中该基底具有元件隔离结构,且在该元件隔离结构中具有主动元件区;b.提供一介电层于该基底之主动元件区上方;c.在该主动元件区提供一转移电晶体,该转移电晶体包括一位于该介电层上方之第一闸电极与形成于该基底之一第一与一第二源极/汲极区;d.形成一蚀刻阻绝层于该第一闸电极以及该第一、第二源极/汲极区上方;e.形成一介电层于该蚀刻阻绝层上方,该介电层与该蚀刻阻绝层不同;f.平坦化该介电层,以得到一平坦化表面;g.蚀刻去除该第一源极/汲极区上方之介电层的平坦化表面,至该蚀刻阻绝层为止,然后更继续蚀刻该蚀刻阻绝层直到与该第一源极/汲极区形成一位元线的接点;以及h.蚀刻去除该第二源极/汲极区上方之介电层,至该蚀刻阻绝层为止,然后更继续蚀刻该蚀刻阻绝层直到在该第二源极/汲极区形成一电荷储存电容,该电荷储存电容以一电极与该第二源极/汲极区连接。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该步骤e系以化学气相沉积法的四乙基矽氧烷形成该介电层。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该步骤f中平坦化的方法系以化学机械研磨法来完成。17.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该介电层系一氧化矽层,该蚀刻终止层系一氮化矽层。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该蚀刻终止层形成于该第一与第二源极/汲极区上方。19.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该电荷储存电容包括一下电极与该第三源极/汲极区、一高电常数电容介电质以及一上电极接触。20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中该高介电常数电容介电质是由包括钽氧化物与钛酸盐族的物质所选择出来。21.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该高介电常数电容介电质是由包括五氧化钽、钡锶钛酸盐与铅锌钛酸盐中所选择出来。22.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该上电极以异于多晶矽的其它导电物质与高介电常数电容介电质面接。23.如申请专利范围第21项所述之方法,其中该上电极包括一出氮化钛、钨、氮化钨、铂、钌、铱、钼与氮化钼族所选择出来的物质。24.一种形成动态随机存取记忆体之方法,包括下列步骤:a.提供一基底,其中该基底具有元件隔离结构,且在该元件隔离结构中具有主动元件区;b.提供一介电层于该基底之主动元件区上方;c.在该主动元件区提供一转移电晶体,该转移电晶体包括一位于该介电层上方之第一闸电极与形成于该基底之-一第一与一第二源极/汲极区;d.形成一蚀刻阻绝层于该第一闸电极上方以及覆盖一氧化层于该第一、第二源极/汲极区上方;e.形成一介电层于该蚀刻阻绝层上方,该介电层与该蚀刻阻绝层不同,且该蚀刻阻绝层与该氧化层不同;f.以化学机械研磨法平坦化该介电层,以得到一平坦化表面;以及g.蚀刻去除该第一源极/汲极区上方之介电层的平坦化表面,至该蚀刻阻绝层为止,然后更继续蚀刻该蚀刻阻绝层,移除该氧化层直到至少暴露出该第一源极/汲极区的一部份,然后再形成一导体与该第一源极/汲极区接触。25.如申请专利范围第24项所述之方法,其中该电荷储存电容包括一下电极与该第三源极/汲极区、一高电常数电容介电质以及一上电极接触。26.如申请专利范围第25项所述之方法,其中该高介电常数电容介电质是由包括钽氧化物与钛酸盐族的物质所选择出来。27.如申请专利范围第25项所述之方法,其中该高介电常数电容介电质是由包括五氧化钽、钡锶钛酸盐与铅锌钛酸盐中所选择出来。28.如申请专利范围第25项所述之方法,其中该上电极以异于多晶矽的其它导电物质与高介电常数电容介电质面接。29.如申请专利范围第25项所述之方法,其中该上电极包括一由氮化钛、钨、氮化钨、铂、钌、铱、钼与氮化钼族所选择出来的物质。图式简单说明:第一图-第三图绘示传统形成动态随机存取记忆体之方法步骤剖面图。第四图-第十一图绘示依照本发明一较佳实施例之形成动态随机存取记忆体方法的步骤剖面图。 |
