| 主权项 |
1.一种晶片电阻器之电阻调整方法,包含了一绝缘晶片基体(1),一形成在该晶片基体(1)上的电阻器薄膜(3),及一形成在该电阻器薄膜(3)上的内涂层(4),该方法包含了经由一雷射光束照射该电阻器薄膜(3)及该内涂层(4)的步骤,以形成修整槽(10)于该电阻器薄膜(3)及该内涂层(4)内,并导致该晶片基体(1)及该雷射光束,互相相关的间歇移动,其特征为,该雷射光束被集束,因此,该修整槽(10)具有15-45m的宽度,及该晶片基体(1)与该雷射光束,系互相相关的以7-15m的节距而间歇的移动。2.如申请专利范围第1项之方法,其中,该雷射光束具有10-40m的集束光束直径。3.如申请专利范围第1项之方法,其中,该雷射光束每次射出之输出为0.1510-3-0.510-3W。4.如申请专利范围第1项之方法,其中,该雷射光束系相关于该被稳定维持的该晶片基体(1)而移动。5.如申请专利范围第1项之方法,其中,该晶片基体(1)系相关于该被稳定维持的该雷射光束而移动。6.一种晶片电阻器之电阻调整方法,包含了一绝缘晶片基体(1),一形成在该晶片基体(1)上的电阻器薄膜(3),及一形成在该电阻器薄膜(3)上的内涂层(4),该方法包含了经由一雷射光束照射该电阻器薄膜(3)及该内涂层(4)的步骤,以形成修整槽(10)于该电阻器薄膜(3)及该内涂层(4)内,并导致该晶片基体(1)及该雷射光束,互相相关的间歇移动,其特征为,在该雷射修整之最终阶段之前,该雷射光束与该晶片基体(1),系互相相关的以较大节距而间歇的移动,其中,该晶片电阻器的一测量电阻已达到一目标电阻时,在雷射修整之该最终阶段,则以较小节距而间歇的移动。7.如申请专利范围第6项之方法,其中,该雷射光束具有10-40m的集束光束直径,以提供具有15-45m的宽度之槽。8.如申请专利范围第6项之方法,其中,在雷射修整之最终阶段之前,该晶片基体(1)与该雷射光束,系互相相关的以7-15m的节距而间歇的移动。9.如申请专利范围第6项之方法,其中,在该雷射修整之最终阶段,该晶片基体(1)与该雷射光束,系互相相关的以3-6m的节距而间歇的移动。10.如申请专利范围第6项之方法,其中,该雷射光束每次射出之输出为0.1510-3-0.510-3W。11.如申请专利范围第6项之方法,其中,该雷射光束系相关于该被稳定维持的该晶片基体(1)而移动。12.如申请专利范围第6项之方法,其中,该晶片基体(1)系相关于该被稳定维持的该雷射光束而移动。图式简单说明:第一图系显示一使用本发明之晶片电阻器的透视图;第二图系沿着第一图中之线II-II取得之一放大剖面图;第三图至第十图系显示制造的连续步骤之示意图。 |
