| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离对准的方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,其中设有一对准键;依序形成一垫氧化层与一氮化矽层于该半导体基底上;进行罩幕定义,去除部分该氮化矽层、该垫氧化层与该半导体基底,以在该半导体基底中形成一沟渠,并在该对准键处形成一对准键沟渠,其中该对准键与该对准键沟渠组合形成一T字型轮廓;分别形成一侧壁氧化层于该沟渠与该对准键沟渠之侧壁;形成一厚氧化层于该氮化矽层与该侧壁氧化层上;进行一平坦化步骤,去除部分该厚氧化层;去除该氮化矽层上剩余之该厚氧化层,以在该沟渠中形成一第一氧化物插塞,并在该对准键沟渠中形成一第二氧化物插塞,其中该第二氧化物插塞之表面低于该半导体基底之表面;剥除该氮化矽层与该垫氧化层;形成一闸极氧化层于该半导体基底上;以及形成一多晶矽层于该闸极氧化层上。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该对准键沟渠之深度约为4000A。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该侧壁氧化层之厚度约为300A。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该厚氧化层之厚度约为7000A。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该厚氧化层只形成方法比如为低压化学气相沈积法。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该平坦化步骤系以化学机械研磨法进行。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该平坦化步骤系在该氮化矽层上残留厚度约为1000A的厚氧化层。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二氧化物插塞系以回蚀法形成。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该闸极氧化层之厚度约为60A。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该多晶矽层之厚度约为3000A。11.一种浅沟渠隔离对准的方法,包括下列步骤:提供一半导体基底;形成一对准键于该半导体基底中,该对准键之深度大于习知之对准键深度;依序形成一垫氧化层与一氮化矽层于该半导体基底上;进行罩幕定义,去除部分该氮化矽层、该垫氧化层与该半导体基底,以在该半导体基底中形成一沟渠,并在该对准键处形成一对准键沟渠,其中该对准键与该对准键沟渠组合形成一T字型轮廓;分别形成一侧壁氧化层于该沟渠与该对准键沟渠之侧壁;形成一厚氧化层于该氮化矽层与该侧壁氧化层上;进行一平坦化步骤,去除部分该厚氧化层;去除该氮化矽层上剩余之该厚氧化层,以在该沟渠中形成一第一氧化物插塞,并在该对准键沟渠中形成一第二氧化物插塞,其中该第二氧化物插塞之表面低于该半导体基底之表面;剥除该氮化矽层与该垫氧化层;形成一闸极氧化层于该半导体基底上;以及形成一多晶矽层于该闸极氧化层上。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该对准键之深度约为2400A。13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该对准键沟渠之深度约为4000A。14.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该侧壁氧化层之厚度约为300A。15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该厚氧化层之厚度约为7000A。16.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该厚氧化层只形成方法比如为低压化学气相沈积法。17.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该平坦化步骤系以化学机械研磨法进行。18.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该平坦化步骤系在该氮化矽层上残留厚度约为1000A的厚氧化层。19.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该第二氧化物插塞系以回蚀法形成。20.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该闸极氧化层之厚度约为60A。21.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该多晶矽层之厚度约为3000A。图式简单说明:第一图A图至第一图F绘示为习知的一种浅沟渠隔离的制造流程图;以及第二图A至第二图F绘示依照本发明一较佳实施例的一种浅沟渠隔离的制造流程图。 |
