发明名称 步进机之曝光程序
摘要 一种决定步进机曝光程序的方法,采取相对于中心点的参考距离作为排定曝光顺序之依据。首先决定晶圆上实施曝光程序之中心位置,接着决定各曝光格的参考点,然后估计各曝光格参考距离。曝光格参考距离为中心位置与各参考点间的距离,所有参考距离相同的曝光格视为一个曝光格族群。接着根据参考距离的大小排定曝光程序。首先决定起始曝光格的位置,然后决定不同曝光格族群的曝光顺序,可采取参考距离由小而大或是由大而小的方式排列。最后决定同一曝光格族群的曝光顺序,可采用中心位置为圆心,顺时钟或逆时钟方向的次序。
申请公布号 TW394973 申请公布日期 2000.06.21
申请号 TW088100280 申请日期 1999.01.08
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 李梦钧
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 蔡坤财 台北巿松江路一四八号十二楼
主权项 1.一种决定步进曝光机曝光程序的方法,该曝光程序用以对一晶圆上之若干曝光格进行曝光,该晶圆上之一曝光格为曝光一次所涵盖的区域,该方法至少包含:决定该曝光程序之中心位置;决定每个该曝光格之参考点;估计每个该曝光格之该参考点与该曝光程序中心位置间的参考距离;并根据该参考距离的大小排定曝光程序。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之曝光程序中心位置为该晶圆之中心。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之曝光程序中心位置为中央曝光格之中心。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之曝光格参考点为该曝光格之中心。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之曝光格参考点位于该曝光格之边缘。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之曝光程序的排定更包含下列步骤决定曝光程序之起始位置;决定不同参考距离的该曝光格之曝光顺序;并决定相同参考距离的该曝光格之曝光顺序。7.如申请专利范围第6项之方法,其中上述之曝光程序起始位置为中央曝光格。8.如申请专利范围第6项之方法,其中上述之曝光程序起始位置为边缘上之一该曝光格。9.如申请专利范围第6项之方法,其中上述之不同参考距离的曝光格之曝光顺序为参考距离由小而大的顺序。10.如申请专利范围第6项之方法,其中上述之不同参考距离的曝光格之曝光顺序为参考距离由大而小的顺序。11.如申请专利范围第6项之方法,其中上述之相同参考距离的曝光格之曝光顺序,为以该曝光程序中心位置为圆心之顺时钟方向的顺序。12.如申请专利范围第6项之方法,其中上述之相同参考距离的曝光格之曝光顺序,为以该曝光程序中心位置为圆心之逆时钟方向的顺序。13.一种决定步进曝光机曝光程序的方法,该曝光程序用以对一晶圆上之若干曝光格进行曝光,该晶圆上之一曝光格为曝光一次所涵盖的区域,该方法至少包含:决定该曝光程序之中心位置;决定每个该曝光格之参考点;估计每个该曝光格之该参考点与该曝光程序中心位置间的参考距离;决定曝光程序之起始位置;决定不同参考距离的该曝光格之曝光顺序;并决定相同参考距离的该曝光格之曝光顺序。14.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之曝光程序中心位置为该晶圆之中心。15.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之曝光程序中心位置为中央曝光格之中心。16.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之曝光格参考点为该曝光格之中心。17.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之曝光格参考点位于该曝光格之边缘。18.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之曝光程序起始位置为中央曝光格。19.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之曝光程序起始位置为边缘上之一该曝光格。20.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之不同参考距离的曝光格之曝光顺序为参考距离由小而大的顺序。21.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之不同参考距离的曝光格之曝光顺序为参考距离由大而小的顺序。22.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之相同参考距离的曝光格之曝光顺序,为以该曝光程序中心位置为圆心之顺时钟方向的顺序。23.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之相同参考距离的曝光格之曝光顺序,为以该曝光程序中心位置为圆心之逆时钟方向的顺序。24.一种决定步进曝光机曝光程序的方法,该曝光程序用以对一晶圆上之若干曝光格进行曝光,该晶圆上之一曝光格为曝光一次所涵蓝的区域,该方法至少包含:决定每个该曝光格之参考点;估计每个该曝光格之该参考点与该晶圆之中心间的参考距离;决定曝光程序之起始位置;决定不同参考距离的该曝光格之曝光顺序;并决定相同参考距离的该曝光格之曝光顺序。25.如申请专利范围第24项之方法,其中上述之曝光格参考点为该曝光格之中心。26.如申请专利范围第24项之方法,其中上述之曝光格参考点位于该曝光格之边缘。27.如申请专利范围第24项之方法,其中上述之曝光程序起始位置为中央曝光格。28.如申请专利范围第24项之方法,其中上述之曝光程序起始位置为边缘上之一该曝光格。29.如申请专利范围第24项之方法,其中上述之不同参考距离的曝光格之曝光顺序为参考距离由小而大的顺序。30.如申请专利范围第24项之方法,其中上述之不同参考距离的曝光格之曝光顺序为参考距离由大而小的顺序。31.如申请专利范围第24项之方法,其中上述之相同参考距离的曝光格之曝光顺序,为以该曝光程序中心位置为圆心之顺时钟方向的顺序。32.如申请专利范围第24项之方法,其中上述之相同参考距离的曝光格之曝光顺序,为以该曝光程序中心位置为圆心之逆时钟方向的顺序。图式简单说明:第一图为传统技艺中以光罩对晶圆上一单一曝光格进行曝光的示意图;第二图A为传统技艺中所采用的曝光顺序之示意图;第二图B为第二图A中之晶圆实际所形成的曝光图形;第三图为本发明的实施流程图;第四图为本发明排定曝光程序的实施流程图;第五图为本发明第一实施例的曝光顺序的示意图;第六图为本发明第二实施例的曝光顺序的示意图;及第七图为本发明参考距离与曝光误差之间的可能函数关系图。
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