| 主权项 |
1.一种镁矽酸盐化合物,其系具有在室温下每克具 有至少10毫克CaO之钙键结能力(CBC),室温下每克具 有至少10毫克MgO之镁键结能力(MBC),室温下不超过 300秒之钙键结速率(CBR),该速率系为每升3g之负载 下由-100ppm Ca2+溶液中移除一半Ca2+所花费之时间,并系具有填 充之矽氧同素异形相关的结构,或具有其特征为发 生在11与17A间d-间隔处之宽X射线粉末绕射峰的层 化结构,其中,该镁矽酸盐化合物具有MaMgbAlcSil-(b+c) Od之无水形式组成分,此处之M为硷金属,可视情况 部分由H或NH4所取代;此处之 0.0<a<2.0,0.0<b<0.7,0.0≦c≦0.3,且1.15<d<3.0;此处c<b;此处 可以一或多个选自B,Be,Zn,Ga,Fe,Ge,As与P之其它元素T 部分取代(Mg+Al+Si)原子,使T/(Mg+Al+Si)<0.1且Mg>0;此处 可以一或多个选自硷土族、过渡金属以及稀土族 元素之其它元素A部分取代间实原子(interstitial atom )M,使A/M<0.2;且此处非属结构成分之杂质矿物质或 化合物并不算在组成分中。2.根据申请专利范围 第1项之镁矽酸盐化合物,其中0.4<a<1.4,0.2<b<0.6,0.0≦ c≦0.2而1.5<d<2.5;且其中T/(Mg+A1+Si)<0.05。3.根据申请 专利范围第2项之镁矽酸盐化合物,其中0.6<a<1.3,0.35 <b<0.6,0.0≦c≦0.1而1.65<d<2.25;且其中T/(Mg+Al+Si)<0.02。 4.根据申请专利范围第1项之镁矽酸盐化合物,其中 Mg/Ca≦100,而Si/(Mg+Ca)<1.4。5.根据申请专利范围第1 项之镁矽酸盐化合物,其中M系选自K及Na之一或两 者。6.根据申请专利范围第1项之镁矽酸盐化合物, 其具有填充之矽氧同素异形相关结构,此处之主要 X射线粉末绕射峰或峰群同时发生在4.30+0.15A之d-间 隔处以及2.64+0.22A之d-间隔处。7.根据申请专利范 围第1项之镁矽酸盐化合物,其具有填充之矽氧同 素异形相关结构,此处之主要X射线粉末绕射峰或 峰群发生在2.730.15A之d-间隔处,而一较弱之峰或峰 群发生在4.440.10A之d-间隔处。8.根据申请专利范 围第1项之镁矽酸盐化合物,其具有填充之矽氧同 素异形相关结构,此处之主要X射线粉末绕射峰发 生在3.110.20A之d-间隔处。9.根据申请专利范围第1 项之镁矽酸盐化合物,其具有宽X射线粉末绕射峰 发生在12与16A间d-间隔处之层化结构。10.根据申请 专利范围第1项之镁矽酸盐化合物,其于室温下每 克具有至少20毫克CaO之CBC。11.根据申请专利范围 第1项之镁矽酸盐化合物,其于室温下每克具有至 少15毫克MgO之MBC。12.根据申请专利范围第1项之镁 矽酸盐化合物,其于室温下具有不超过200秒之CBR。 13.根据申请专利范围第1项之镁矽酸盐化合物,其 具有每100克无水材料至少50克油之油吸收度(OA)。 14.根据申请专利范围第1项之镁矽酸盐化合物,其 系利用镁矽酸盐矿物起始材料加以制备。15.一种 根据申请专利范围第1项之具有填充矽氧同素异形 相关结构之镁矽酸盐化合物之制备方法,其包括使 镁矽酸盐起始材料或含氧化镁与氧化矽之试剂组 合与一硷金属氧化物试剂在1000℃或更低之温度下 进行固态反应,硷金属氧化物试剂在低于1000℃温 度的空气中分解以得到硷金属氧化物。16.根据申 请专利范围第15项之方法,其中该反应系于450℃至 800℃之温度范围内进行。17.根据申请专利范围第 15项之方法,其中该含硷金属氧化物试剂系选自碳 酸氢盐、碳酸盐、羧酸盐、硝酸盐与氢氧化合物 族群中之一或多种。18.根据申请专利范围第15项 之方法,其中该含硷金属氧化物试剂包含K及Na之一 或两者。19.根据申请专利范围第15项之方法,其中 该镁矽酸盐起始材料包含一叶矽酸(phyllosilicate)矿 物。20.根据申请专利范围第19项之方法,其中该叶 矽酸矿物系选自滑石与植物皂石(saponite)之一或两 者。21.根据申请专利范围第15项之方法,其中镁矽 酸盐起始材料,或含氧化镁与氧化矽之试剂组合, 及一含硷金属氧化物试剂系在固态反应之前被加 压为单石体。22.根据申请专利范围第21项之方法, 其中在单石体中包括黏结剂。23.一种根据申请专 利范围第1项之具有特征宽X射线粉末绕射峰发生 在11与17A间d-间隔处之层化结构之镁矽酸盐化合物 之制备方法,其包括将具有填充矽氧同素异形相关 结构之镁矽酸盐化合物分散于水中,将残余固体由 悬浮液中分离,以及将该被分离之残余固体进行乾 燥。24.根据申请专利范围第23项之方法,其中该具 有填充矽氧同素异形相关结构之镁矽酸盐化合物 于室温下每克具有至少10毫克CaO之CBC,室温下每克 具有至少10毫克MgO之MBC,以及室温下不超过300秒之 CBR。25.根据申请专利范围第23项之方法,其中该分 散与分离之步骤所花费之时间不超过20分钟。26. 根据申请专利范围第23项之方法,其中该分离之残 留固体于低于100℃下乾燥。27.一种根据申请专利 范围第1项之具有特征宽X射线粉末绕射峰发生在11 与17A间d-间隔处之层化结构之镁矽酸盐化合物之 制备方法,其包括使镁矽酸盐起始材料或含氧化镁 与氧化矽之试剂组合与一含硷金属氧化物之试剂, 在至少100℃之下进行含水反应,该含硷金属氧化物 之试剂并在低于1000℃温度下的空气中会分解产生 硷金属氧化物。28.根据申请专利范围第27项之方 法,其中该反应系于一密闭容器中,于100℃至300℃ 之温度范围内进行。29.根据申请专利范围第28项 之方法,其中该反应系于150℃至200℃之温度范围内 进行。30.根据申请专利范围第27项之方法,其中该 含硷金属氧化物试剂系选自碳酸氢盐、碳酸盐、 羧酸盐、硝酸盐与氢氧化合物族群中之一或多种 。31.根据申请专利范围第27项之方法,其中该含硷 金属氧化物试剂包含K及Na之一或两者。32.根据申 请专利范围第27项之方法,其中该镁矽酸盐起始材 料包含一叶矽酸盐(phyllosilicate)矿物。33.根据申请 专利范围第32项之方法,其中该叶矽酸矿物系选自 滑石与植物皂石(saponite)之一或两者。34.根据申请 专利范围第1项之镁矽酸盐化合物,其系作为水软 化剂。35.根据申请专利范围第1项之镁矽酸盐化合 物,其系作为清洁加强剂。36.根据申请专利范围第 1项之镁矽酸盐化合物,其包括界面活性剂系作为 清洁组成物。37.根据申请专利范围第1项之镁矽酸 盐化合物,其视情况进一步包含黏结剂系作为模制 体。38.一种由根据申请专利范围第21或22项之方法 形成之镁矽酸盐化合物颗粒。图式简单说明: 第一图显示出高方石英(SiO2)与理想化Na2MgSiO4于立 方体<110>方向向下投射之多面体代表例; 第二图显示出高鳞石英(SiO2)与理想化KMg0.5Sil1.50于 立方体<110>方向向下投射之多面体代表例;以及 第三图至第六图显示出分别根据实例1-13所制备之 主题镁矽酸盐化合物a-m之XRD分布。XRD数据利用CuK 放射加以收集。因杂质矿物或反应副产物所致 之蜂以星号指出。 |
