束致变蚀方法

摘要

本发明涉及半导体芯片二氧化硅表面束致变蚀方法。本发明包括使用一种或两种粒子束诸如离子束、电子束和等离子束对二氧化硅表面进行选择轰击，使二氧化硅表面的腐蚀特性发生明显变化；在该选择轰击的二氧化硅表面上涂一层催化剂组合物层；在一定温度下经过用氮鼓泡的氟化氢溶液的混合气体中腐蚀。可使选择轰击二氧化硅表面的二个区的腐蚀速率比达到１∶１００，刻蚀分辨率为亚微米级，正负图形可变并且清晰完整，可靠性高。

主权项

1.一种束致变蚀方法，其特征在于包括下列步骤： 第一步：用离子束、电子束、等离子体束中的一种或两种粒 子束对SiO₂表面进行选择轰击，使SiO₂表面能发生明显变化，使 在随后用氮气鼓泡HF溶液的混合气体中腐蚀后的轰击区与非轰击 区的腐蚀速率比显著增大或恢复原状，所用离子束的离子是N⁺、 H⁺、O⁺、Ar⁺，离子注入量是5×10¹⁵cm^-2～1×10¹⁶cm^-2，能量 为10KeV～100KeV，电子束轰击时所用两极电压为1800V～2000V， 轰击时间大于5分钟；等离子体束轰击时所用能量为20W～40W， 轰击时间60秒～90秒； 第二步：在粒子束选择轰击的表面上涂一层厚度为200_～ 2000A的催化剂组合物，该催化剂组合物有： 一、环己酮…………100ml 米蚩酮…………1g 肉桂酸…………1g 聚乙烯醇肉桂酸酯…2g；或者 二、环己酮…………100ml 2-羟基-5-硝基苊…1.5g 聚酯…………3g 二胺基二苯醚……0.5g 第三步：在涂上催化剂组合物膜的样品上，在室温到190℃下， 用氮气鼓泡HF溶液的混合气体进行腐蚀，腐蚀速率大于1000_/min； 第四步：去催化剂，即得到所需图形。