发明名称 供液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
摘要 利用第一光刻步骤,在基板上形成栅线,并连续淀积栅绝缘层和半导体层。淀积可硅化的金属层,从而在半导体层上形成硅化物层,清除剩下的金属层或淀积细微结晶化的经掺杂的非晶硅层,从而形成欧姆接触层。利用第二光刻步骤,将欧姆接触层、半导体层及栅绝缘层图案化。此时在栅连接区上形成暴露栅连接区的接触孔。连续淀积ITO层和金属层后,利用第三光刻步骤将其图案化,从而形成数据线路、像素电极及冗余栅连接区。之后,清除没有被ITO层或金属层覆盖的欧姆接触层部分。淀积钝化层,再利用第四光刻步骤将其图案化,然后,清除没以被钝化层覆盖的像素电极、冗余栅连接区及数据连接区的金属层和半导体层,从而分离相邻两数据线下部的半导体层。
申请公布号 CN1257304A 申请公布日期 2000.06.21
申请号 CN99124817.1 申请日期 1999.11.18
申请人 三星电子株式会社 发明人 宋俊昊;朴云用
分类号 H01L21/30;H01L21/027;G02F1/13;G02F1/136 主分类号 H01L21/30
代理机构 柳沈知识产权律师事务所 代理人 李晓舒
主权项 1.一种供液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板的制造方法,包括如下步骤:利用第一光刻过程在绝缘基板上形成栅线路;利用第二光刻过程形成包括位于栅线路上的一栅绝缘层图案、一半导体层图案和一欧姆接触层图案的层图案;利用第三光刻过程形成具有包括一下部导体层及一上部导体层的二重层结构的导体图案;蚀除没有被导体层图案覆盖的欧姆接触层图案部分;利用第四光刻过程形成钝化层;和蚀除没有被钝化层覆盖的导体图案的上部导体层部分。
地址 韩国京畿道