发明名称 |
制造平面沟槽的方法 |
摘要 |
改善沟槽结构上形貌的方法,在沟槽边缘区域中提供例如多晶硅20过量多晶半导体材料或氮化物或氧化物,如果需要,过量材料的随后氧化防止产生高机械应力区。 |
申请公布号 |
CN1257609A |
申请公布日期 |
2000.06.21 |
申请号 |
CN98805442.6 |
申请日期 |
1998.03.23 |
申请人 |
艾利森电话股份有限公司 |
发明人 |
A·K·S·瑟德贝里;N·O·厄格伦;E·H·舍丁;O·M·扎克里森 |
分类号 |
H01L21/763;//H01L21/762 |
主分类号 |
H01L21/763 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
邹光新;李亚非 |
主权项 |
1.在具有平面表面(3)的半导体材料衬底(2)中形成沟槽的方法,包括以下步骤:利用掩模(4)掩蔽衬底(2)的平面表面(3)中要求的沟槽(1)位置,在所说平面表面(3)中腐蚀要求深度的沟槽(1),处理某些或全部衬底(2)的露出表面,形成第一绝缘层(9),在第一绝缘层(9)上淀积第二绝缘材料层(6),其中所说第二绝缘材料层(6)的厚度等于或大于沟槽(1)的宽度,深腐蚀第二绝缘材料层(6),直到平面表面(3)上的第一绝缘层(9)露出,但所说沟槽(1)仍包含所说第二缘缘材料层(6),由此在沟槽(1)上形成基本垂直向下的台阶(8)的高度,其特征在于以下步骤:在所说晶片(2)和所说沟槽(1)中所说第二层(6)的露出表面上淀积与所说绝缘材料(6)相同类型的绝缘膜(21);各向异性深腐蚀该绝缘膜(21),以便残留在沟槽(1)边缘的区域中所说沟槽<1>中所说第二绝缘材料层(6)上的绝缘膜(21)的深度d小于或基本上等于台阶(8)的高度。 |
地址 |
瑞典斯德哥尔摩 |