半导体存储器件

摘要

一种半导体存储器件包括:一个含晶体管的半导体衬底;第一保护性绝缘薄膜;至少一个数据存储电容器元件;第二保护性绝缘薄膜;一个氢阻挡层;和一个互连层,用于电连接晶体管和电容器元件,其中,电容器元件包括:一个下电极,它形成在第一保护性绝缘薄膜上;一层电容器薄膜,它形成在下电极上一个上电极,它形成在电容器薄膜上,电容器薄膜包括一种绝缘金属氧化物,第二保护性绝缘薄膜具有到达上电极的第一接触孔和到达下电极的第二接触孔,氢阻挡层设置在第一和第二接触孔中,以不暴露上电极和下电极。

主权项

1.一种半导体存储器件，包括：一个半导体衬底，它包括一个晶体管；第一保护性绝缘薄膜，用于覆盖半导体衬底；至少一个数据存储电容器元件，其形成在第一保护性绝缘薄膜上；第二保护性绝缘薄膜，用于覆盖第一保护性绝缘薄膜和电容器元件；一个氢阻挡层；和一个互连层，用于电连接晶体管和电容器元件，其中：电容器元件包括：一个下电极，它形成在第一保护性绝缘薄膜上；一层电容器薄膜，它形成在下电极上；以及一个上电极，它形成在电容器薄膜上，电容器薄膜包括一种绝缘金属氧化物，第二保护性绝缘薄膜具有到达上电极的第一接触孔和到达下电极的第二接触孔，并且氢阻挡层设置在第一和第二接触孔中，以不暴露上电极和下电极。