| 摘要 |
<P>La présente invention a pour objet un laser semi-conducteur, de type unipolaire qui comporte :. une région de gain (16) comprenant : - une zone active (26) formée d'au moins un puits quantique destiné à permettre des transitions inter-sous-bandes de porteurs de charge,- une zone d'injection (28) attenante à la zone active, - deux couches de confinement optique (18) entre lesquelles les zones actives et d'injection sont interposées, et - deux électrodes (10; 25) disposées de part et d'autre de l'empilement ainsi réalisé, pour l'application d'un champ électrique.Le laser selon l'invention est caractérisé en ce qu'il comporte deux plans de dopage, l'un de type p (30p), donneur de trous ou receveur d'électrons et l'autre de type n (30n), donneur d'électrons ou receveur de trous, disposés de part et d'autre de la zone active (26), le plan de dopage de type donneur étant intercalé entre la zone active et la zone d'injection.Application à la mesure d'éléments chimiques.</P>
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