| 摘要 |
<p>Es wird ein Verfahren zur Herstellung von feinen metallischen Leiterbahnstrukturen auf einem elektrisch nichtleitenden Trägermaterial beschrieben, bei dem ein elektrisch nicht leitender Schwermetallkomplex auf das Trägermaterial aufgebracht oder in das Trägermaterial eingebracht wird, das Trägermaterial im Bereich der zu erzeugenden Leiterbahnstrukturen selektiv einer UV-Laserstrahlung ausgesetzt wird, wobei Schwermetallkeime freigesetzt werden, und dieser Bereich chemisch reduktiv metallisiert wird. Gemäß der Erfindung ist eine Feinststrukturierung der Leiterbahnen mittels eines vereinfachten und sicheren Verfahrens möglich. Außerdem wird eine hervorragende Haftfestigkeit der abgeschiedenen metallischen Leiterbahnen erzielt. Die selektion organischer Komplexbildner umfaßt chemische Strukturen auf Basis van carbonsäure-amide, cyclischer Amide, Hydrazone, Hydrazide, Organometallen usw.</p> |
