发明名称 HIGH PURITY, SILICONIZED SILICON CARBIDE HAVING HIGH THERMAL SHOCK RESISTANCE
摘要 <p>This invention is a high strength, thermal shock resistant, high purity siliconized silicon carbide material made from siliconizing a converted graphite SiC body having at least 71 vol% silicon carbide therein.</p>
申请公布号 WO2000034203(A1) 申请公布日期 2000.06.15
申请号 US1999026568 申请日期 1999.11.09
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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