| 发明名称 |
METHOD FOR STRUCTURING A METALLIFEROUS LAYER |
| 摘要 |
Es wird ein Verfahren zum Strukturieren einer metallhaltigen Schicht vorgeschlagen. Die metallhaltige Schicht (4) wird dabei unter Verwendung einer Ätzmaske (8) in einer plasmaunterstützten Ätzgasatmosphäre bei einer Temperatur oberhalb von 130 DEG C in Anwesenheit zumindest einer Halogenverbindung und zumindest eines Oxidationsmittels geätzt, wobei die Konzentration des Oxidationsmittels höher als die Konzentration der Halogenverbindung ist.
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| 申请公布号 |
WO0034985(A2) |
申请公布日期 |
2000.06.15 |
| 申请号 |
WO1999DE03876 |
申请日期 |
1999.12.03 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG;WEGE, STEPHAN;KRAHL, KERSTIN |
发明人 |
WEGE, STEPHAN;KRAHL, KERSTIN |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L29/423;H01L29/43;H01L29/49;(IPC1-7):H01L21/00 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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