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<p>Es wird eine mikroelektronische Struktur vorgeschlagen, bei der eine erste leitfähige Schicht (20, 25) eine Sauerstoffdiffusion behindert. Dazu besteht die erste leitfähige Schicht (20, 25) aus einem Grundmaterial und mindestens einem sauerstoffbindenden Zusatz. Dieser weist zumindest ein Element aus der vierten Nebengruppe oder aus der Lanthangruppe auf. Bevorzugt wird die mikroelektronische Struktur bei Halbleiterspeicherbausteinen mit Metalloxiddielektrikum als Kondensatordielektrikum verwendet.</p> |
