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Eine IGBT-Struktur aus aufeinanderfolgenden Bereichen (1, 3, 4, 5) wechselnden Vorzeichens der Leitfähigkeit wird auf Punch-Through dimensioniert und mit zwei Pufferschichten (2, 6) versehen. Damit wird das Bauelement symmetrisch sperrend und ist als Halbleiterschalter z.B. für Umrichter geeignet.
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