| 发明名称 | 3维器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的3维器件的制造方法,包括在透光性的基板1上形成分离层2、中间层3和第1被转印层41有机同样在透光性的基板1上形成分离层2、中间层3和第2被转印层42的工序、在与被转印层41的基板1相反侧通过粘接层5将基板(转印侧基板)21接合的工序、向分离层2照射照射光7利用磨蚀在分离层2的层内和/或界面发生剥离从而使被转印层41从基板1上脱离下来转印到基板21上的工序、在与被转印层42的基板1相反侧通过导电性粘接层22将被转印层41接合的工序有机和上述一样向分离层2照射照射光7使被转印层42从基板1上脱离下来从而转印到被转印层41上的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1256791A | 申请公布日期 | 2000.06.14 |
| 申请号 | CN99800189.9 | 申请日期 | 1999.02.23 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 井上聪;下田达也 |
| 分类号 | H01L27/00;H01L27/01 | 主分类号 | H01L27/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王勇;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种3维器件的制造方法，将配置在2维方向的指定的区域内的薄膜器件层沿其厚度方向集层多层而制造3维器件，其特征在于：将上述各薄膜器件层中的至少1层利用转印法进行集层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||