| 发明名称 |
SELECTIVE PLASMA ETCHING OF SILICON NITRIDE IN PRESENCE OF SILICON OR SILICON OXIDES USING MIXTURE OF (NH 3? OR SF 6?) AND HBr AND N 2? |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1008173(A1) |
申请公布日期 |
2000.06.14 |
| 申请号 |
EP19980923850 |
申请日期 |
1998.05.29 |
| 申请人 |
APPLIED MATERIALS, INC. |
发明人 |
PADMAPANI, NALLAN, C.;KO, TERRY |
| 分类号 |
H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/311;(IPC1-7):H01L21/311 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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