发明名称 | 坩埚及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种用于制备基本上没有晶体空隙缺陷的单晶硅的石英坩埚。该坩埚是通过在含有低于约0.5%不溶气体如氩气的气氛中,将石英粉导入旋转模具中而制得的。石英粉以沿模具内表面汇集,而后加热以熔化该石英粉由此形成坩埚。在所形成的坩埚中,包含在气泡中的气体含有低于约0.5%不溶气体。 | ||
申请公布号 | CN1256724A | 申请公布日期 | 2000.06.14 |
申请号 | CN99800258.5 | 申请日期 | 1999.01.25 |
申请人 | MEMC电子材料有限公司 | 发明人 | J·D·霍尔德 |
分类号 | C30B15/10;C30B29/06 | 主分类号 | C30B15/10 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 龙传红 |
主权项 | 1.一种制造石英坩埚的方法,所述石英坩埚适用于制备基本上没有晶体空隙缺陷的单晶硅,该方法包括:在含有低于约0.5%在约1420℃的熔融硅中不溶的气体的气氛中,将石英粉导入旋转模具中;汇集石英粉以沿模具内表面形成一层石英粉;沿内表面加热该石英粉层以熔化该石英粉并且形成坩埚。 | ||
地址 | 美国密苏里州 |