METHOD FOR THERMAL SELF-HEALING OF AN SiC SEMICONDUCTOR AREA DOPED BY MEANS OF IMPLANTATION AND A SiC BASED SEMICONDUCTOR COMPONENT,申请号EP19980949885-传众专利搜索

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发明名称	METHOD FOR THERMAL SELF-HEALING OF AN SiC SEMICONDUCTOR AREA DOPED BY MEANS OF IMPLANTATION AND A SiC BASED SEMICONDUCTOR COMPONENT
摘要
申请公布号	EP1008171(A1)	申请公布日期	2000.06.14
申请号	EP19980949885	申请日期	1998.08.13
申请人	SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT	发明人	HOELZLEIN, KARLHEINZ;STEIN, RENE
分类号	H01L21/04;H01L29/24;(IPC1-7):H01L21/265;H01L21/324;H01L29/78	主分类号	H01L21/04
代理机构		代理人
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